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北京第三代半导体产业技术创新战略联盟关于T/CASAS 038—202X 《SiC MOSFET非钳位电感开关(UIS)测试方法》等8项标准征求意见的通知

发布时间:2025-04-30
发表人:
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
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各CASA成员单位:

现有3项SiC MOSFET(UIS+短路)、2项GaN HEMT(DHTOL+外延片)、3项柔性LED光源标准已形成征求意见稿已形成征求意见稿,根据联盟标准化工作管理办法,2025年4月29日起开始征求意见,截止日期2025年5月29日。

请于2025年5月29日前填写《CASA标准文件征求意见表》反馈至联盟秘书处。

标准征求意见稿文本以及《CASA标准文件征求意见表》请见附件。


TCASAS 039 SiC MOSFET单管功率器件短路可靠性测试方法- 征求意见稿.pdf

TCASAS 038 SiC MOSFET非钳位电感开关(UIS)测试方法- 征求意见稿 .pdf

TCASAS 040 SiC MOSFET功率模块短路可靠性测试方法 - 征求意见稿.pdf

T CASAS 057 高频开关应用下GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法 _征求意见稿.pdf

TCASAS 060—202X  功率器件用硅衬底GaN HEMT外延片-征求意见稿.pdf

TCASAS 058—202X  面向光治疗的柔性LED光源拉伸弯曲可靠性试验方法 -征求意见稿.pdf

CASA标准征求意见表  .docx

TCASAS 049—202X  面向光治疗的柔性LED光源拉伸度测试方法 -征求意见稿.pdf

TCASAS 059—202X  面向光治疗的柔性LED光源辐照度均匀性测试方法 -征求意见稿 .pdf




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