各联盟成员单位：

由上海交通大学、南京工业大学、复旦大学、复旦大学宁波研究院、中国电力科学研究院有限公司、合肥工业大学、中国电气装备集团科学技术研究院有限公司、华东电力试验研究院有限公司、国网江苏省电力有限公司南京供电分公司、南京电力设计研究院有限公司、山东大学、小米汽车科技有限公司、国网智能电网研究院有限公司、常州银河世纪微电子股份有限公司等单位联合提出的《SiC MOSFET模块局部放电试验方法》标准项目建议，经第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）管理委员会投票，按照CASAS相关管理办法，获得立项通过，分配编号为：T/CASAS 061。

由杭州飞仕得科技股份有限公司、广电计量检测集团股份有限公司、杭州士兰微电子股份有限公司、浙江大学、东南大学、合肥工业大学、北京航空航天大学等单位联合提出的《SiC MOSFET晶圆级老化及试验方法》标准项目建议，经第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）管理委员会投票，按照CASAS相关管理办法，获得立项通过，分配编号为：T/CASAS 062。

由忱芯科技（上海）有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、芯联集成电路制造股份有限公司、斯达半导体、赛晶亚太半导体科技 （浙江）有限公司、华润安盛科技 （无锡）有限公司、重庆大学、北京智慧能源研究院、广电计量检测股份有限公司等单位联合提出的《SiC MOSFET功率模块有功对拖测试方法》标准项目建议，经第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）管理委员会投票，按照CASAS相关管理办法，获得立项通过，分配编号为：T/CASAS 063。

由忱芯科技（上海）有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、斯达半导体、华润安盛科技 （无锡）有限公司、重庆大学、北京智慧能源研究院、广电计量检测股份有限公司、浙江大学绍兴研究院等单位联合提出的《SiC MOSFET器件寄生杂感与动态测试回路杂感测试方法》标准项目建议，经第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）管理委员会投票，按照CASAS相关管理办法，获得立项通过，分配编号为：T/CASAS 064。

由忱芯科技（上海）有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、芯联集成电路制造股份有限公司、斯达半导体、华为技术有限公司、华润安盛科技 （无锡）有限公司、重庆大学、北京智慧能源研究院、广电计量检测股份有限公司等单位联合提出的《SiC MOSFET器件交流-湿度-温度循环试验方法》标准项目建议，经第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）管理委员会投票，按照CASAS相关管理办法，获得立项通过，分配编号为：T/CASAS 065。

特此通知。

关于团体标准TCASAS 062《SiC MOSFET晶圆级老化及试验方法》立项的通知.pdf

关于团体标准TCASAS 061《SiC MOSFET模块局部放电试验方法》立项的通知.pdf

关于团体标准TCASAS 063《SiC MOSFET功率模块有功对拖测试方法》立项的通知.pdf

关于团体标准TCASAS 064《SiC MOSFET器件寄生杂感与动态测试回路杂感测试方法》立项的通知.pdf

关于团体标准TCASAS 065《SiC MOSFET器件交流-湿度-温度循环试验方法》立项的通知.pdf