各位专家好：

自2016年11月以来，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟深入贯彻国务院《关于深化标准化改革工作方案》的有关精神，严格按照《关于培育和发展团体标准的指导意见》和《团体标准化第1部分：良好行为指南》、联盟《团体标准管理办法》的等文件开展团体标准工作。

在各参与单位的积极配合下，《碳化硅晶片边缘轮廓检验方法》、《碳化硅外延层深能级缺陷的测试 瞬态电容法》、《SiC MOSFET阈值电压测试方法》项标准经过立项、起草、草案讨论与修改等环节，已正式形成征求意见稿，现报送业内各位专家征求意见。

请各位专家将修改意见按附件1的格式于2024年1月26日前返回至本邮箱。

谢谢配合！

联系人：刘祎晨

电话：010-50875766转722

邮 箱：liuyichen@iawbs.com

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

2023年12月29日

天合标-2023-10号-关于征求《碳化硅晶片边缘轮廓检验方法》等三项团体标准意见的函.pdf

附件1：宽禁带联盟团体标准征求意见信息表.docx

《碳化硅晶片边缘轮廓检验方法》-征求意见稿.pdf

《碳化硅外延层深能级缺陷的测试 瞬态电容法》-征求意见稿.pdf

《SiC MOSFET阈值电压测试方法》-征求意见稿.pdf